Фоторезистор фр1 3 150ком

Фоторезистор фр 1 3 150ком

Фоторезисторы ФР1-3 для работы в аппаратуре фотоэлектрической автоматики и счетно-измерительных приборах

Фоторезисторы ФР1-3 предназначены для работы в цепях постоянного или переменного тока аппаратуры фотоэлектрической автоматики и счетно-измерительных приборов.

Фоторезисторы выпускаются в обычном и климатическом исполнениях.

Масса не более 5 г.

Технические условия ОЖ0.468.163 ТУ

Фоторезистор ФР1-3 47 кОм

Фоторезистор ФР1-3 68 кОм

Фоторезистор ФР1-3 100 кОм

Фоторезистор ФР1-3 150 кОм

Фоторезистор ФР1-3 220 кОм

Фоторезистор ФР1-3 330 кОм

Условия эксплуатации:

— Интервал рабочей температуры — от -60 до +60 °С

— Относительная влажность воздуха при температуре + 25°С для фоторезисторов в исполнении для умеренного и холодного климата — до 98%

— Относительная влажность воздуха при температуре + 35°С для фоторезисторов во всеклиматическом исполнении — до 98%

— Вибрация в диапазоне частот от 1 до 2000Гц. с ускорением — до 15g

— Многократные удары с ускорением — до 75g

Технические характеристики:

— Рабочее напряжение, не более — 15В

— Диапазон номинальных значений темнового сопротивления — от 47 до 330кОм

— Допускаемое отклонение темнового сопротивления от номинального значения, не более — ± 50%

— Максимальная мощность рассеяния,не более — 6,0 х 10-3Вт

— Отрицательный температурный коэффициент темнового сопротивления в интервале температур от минус 60 до +20 °С, не более — 5 %/°С

— Отрицательный температурный коэффициент темнового сопротивления в интервале температур от +20 до +60 °С, не более — 4 %/°С

Наличие: Есть на складе

Фоторезистор ФР1-3 150 кОм

Не работаем
с физическими лицами

Описание / Характеристики

Основной областью применения фоторезисторов является автоматика, где они в некоторых случаях с успехом заменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы. Обладая повышенной допустимой мощностью рассеивания по сравнению с некоторыми типами фотоэлементов, фоторезисторы позволяют создавать простые и надежные фотореле без усилителей тока. Такие фотореле незаменимы в устройствах для телеуправления, контроля и регулирования, в автоматах для разбраковки, при сортировке и счете готовой продукции, для контроля качества и готовности самых различных деталей. Широко используются фоторезисторы в полиграфической промышленности при обнаружении обрывов бумажной ленты, контроле за количеством листов, подаваемых в печатную машину. В измерительной технике фоторезисторы применяются для измерения высоких температур, для регулировки температуры в различных технологических процессах. Контроль уровня жидкости и сыпучих тел, защита персонала от входа в опасные зоны, контроль за запыленностью и задымленностью самых различных объектов, автоматические выключатели уличного освещения и турникеты в метрополитене — вот далеко не полный перечень областей применения фоторезисторов. Фоторезисторы нашли применение в медицине, сельском хозяйстве и других областях. В настоящее время трудно найти такую отрасль народного хозяйства, где бы они не использовались в целях повышения производительности труда, улучшения качества продукции и облегчения труда человека.

Условия эксплуатации
— Интервал рабочей температуры — от -60 до +60 °С
— Относительная влажность воздуха при температуре + 25°С для фоторезисторов в исполнении для умеренного и холодного климата — до 98%
— Относительная влажность воздуха при температуре + 35°С для фоторезисторов во всеклиматическом исполнении — до 98%
— Вибрация в диапазоне частот от 1 до 2000Гц. с ускорением — до 15g
— Многократные удары с ускорением — до 75g

Технические характеристики
— Рабочее напряжение, не более — 15В
— Диапазон номинальных значений темнового сопротивления — от 47 до 330кОм
— Допускаемое отклонение темнового сопротивления от номинального значения, не более — ± 50%
— Максимальная мощность рассеяния,не более — 6,0 х 10-3Вт
— Отрицательный температурный коэффициент темнового сопротивления в интервале температур от минус 60 до +20 °С, не более — 5 %/°С
— Отрицательный температурный коэффициент темнового сопротивления в интервале температур от +20 до +60 °С, не более — 4 %/°С
— Гарантийная наработка — 10000ч

Читайте также:  Расход топлива на 100 км лада гранта

Вас приветствует коллектив ООО «Белтрикс». Мы предлагаем широкий спектр компонентов и оборудования импортного и отечественного производства.

Заявка отправлена. Спасибо.

Заявка отправлена. Спасибо.

Товаров: 0
На сумму: 0.00 руб.

Будни: 9:00 – 17:00
Сб, вскр – выходной

Источник: litezona.ru

Фоторезистор ФР1-3

Внешний вид

рис.1 Фоторезистор ФР1-3

Описание / Назначение / Характеристики ФР1-3 Полупроводниковые фотоэлементы – фоторезисторы обладают свойством менять свое активное сопротивление под действием падающего на них света. Фоторезисторы имеют высокую чувствительность к излучению в самом широком диапазоне – от инфракрасной до рентгеновской области спектра, причем сопротивление их может меняться на несколько порядков. Фоторезисторам присущи высокая стабильность во времени, они имеют небольшие габариты и выпускаются на различные номиналы сопротивлений. Наибольшее распространение получили фоторезпсторы, изготовленные из сернистого свинца, сернистого кадмия, селенистого кадмия. Название типа фоторезисторов слагается из букв и цифр, причем в старых обозначениях буквы А, К, Д обозначали тип использованного светочувствительного материала, в новом же обозначении эти буквы заменены цифрами. Буква, стоящая за дефисом, при старом обозначении, характеризовала конструктивное исполнение (Г-герметизированные, П-пленочные). В новой маркировке эти буквы также заменены цифрами. В табл. 1 приведены наименования наиболее распространенных обозначений фоторезисторов.

Таблица 1. ТИПОВЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТОРОВ

Вид фоторезисторов Старое обозначение Новое обозначение
Сернисто-свинцовые ФСА-0, ФСА-1, ФСА-6, ФСА-Г1, ФСА-Г2
Сернисто-кадмиевые ФСК-0, 1, 2, 4, 5, 6, 7, ФСК-Г1, ФСК-Г2, ФС’Р;-Г7, ФСК-П1 СФ2-1, 2, 4, 9, 12
Селенисто-кадмиевые ФСД-0, ФСД-1, ФСД-Г1 СФ3-1, 8

Светочувствительный элемент в некоторых типах фоторезисторов выполнен в виде круглой или прямоугольной таблетки, спрессованной из порошкообразного сульфида или селенида кадмия, в других он представляет собой тонкий слой полупроводника, нанесенного на стеклянное основание. В том и другом случае с полупроводниковым материалом соединены два металлических вывода.

В зависимости от назначения фоторезисторы имеют совершенно различное конструктивное оформление. Иногда это просто пластина полупроводника на стеклянном основании с токонесущими выводами, в других случаях фоторезистор имеет пластмассовый корпус с жесткими штырьками. Среди таких фоторезисторов следует особо отметить ФСК-6, приспособленный для работы от отраженного света, для чего его корпус имеет в центре отверстие для прохождения света к отражающей поверхности. Выпускаются фоторезисторы в металлическом корпусе с цоколем, напоминающим ламповый, или в корпусе, как у герметизированных конденсаторов или транзисторов.

Источник: powerportal.ru

3.1.1. Фоторезисторы

В фоторезисторах (ФР) используется явление изменения внутренней фотопроводимости, т. е. изменение сопротивления резистивного элемента под действием падающего излучения. ФР является пассивным датчиком и его в простейшем случае включают в цепь делителя напряжения (рис. 3.4). В схеме под влиянием светового потока меняется сопротивление 7?ФР, ток и выходной сигнал.

Фоторезисторы изготовляются из полупроводниковых материалов. В основном это сернистые и селеновые соединения кадмия (Сйв, СсШе), свинца (РЬБ, РЬВе), соединения индия, галлия, теллура, которые наносятся на изолированную подложку. Диапазон спектральной чувствительности зависит от материала ФР и простирается от 0,1 до

Рис. 3.4. Делитель напряжения на ФР

10-^20 мкм. Энергия фотонов связана с длиной волны X излучения (в среде) известным соотношением

где к = 6,63 • КГ 34 Дж • с = 4,13 • 10 15 эВ • с — постоянная Планка; V — скорость света в среде.

Для возникновения фотопроводимости энергия фотона должна быть больше ширины запрещенной зоны полупроводника. Ширина запрещенной зоны является тем энергетическим порогом, ниже которого материал не является фоточувствительным. Фотоны видимого и ближнего ИК-излучения с X

Легирование полупроводника различными примесями позволяет в некоторых пределах менять и спектральную характеристику и чувствительность ФР. В таблице 3.1 приведены характеристики некоторых полупроводниковых материалов, используемых при изготовлении ФР, а на рис. 3.5 изображены спектральные характеристики ФР видимого диапазона.

В общем случае ВАХ ФР нелинейна (рис. 3.6). Детальный анализ показывает, что ток ФР /ФР состоит из двух составляющих — световой I(1) и темновой 1Т:

где С *0,1 А/лм • В — коэффициент пропорциональности (удельная чувствительность); у =0,5 ^1 (зависит от материала фоторезистора); Лт — темновое сопротивление (сопротивление фоторезистора при Ф = 0); Е — напряжение питания.

Характеристики полупроводниковых материалов

Твердые растворы КРТ

Рис. 3.5. Относительная спектральная чувствительность ФР видимого диапазона

Рис. 3.6. ВАХ ФР

Эквивалентная схема фоторезистора на постоянном токе представляет собой параллельное соединение ?ф и ?т (рис. 3.7).

Типичные значения ? = 10-^100 В. Максимальное значение напряжения питания (?тах) ограничивается максимальной рассеиваемой мощностью, а минимальное (?т1п) — собственными шумами фоторезистора, которые весьма малы и при ? = 15 В находятся на уровне 1-^3 мкВ/у^Гц • В рабочем диапазоне световых потоков, обычно /ф /т (?т > Лф). При Т = 20 °С, Е = 10 В, ток 1Т = 10 “ЧЮ”® мкА.

Рис. 3.7. Эквивалентная схема фоторезистора (ФР)

Рис. 3.8. Включение ФР в мостовую схему

Основные схемы включения ФР это делители напряжения (см. рис. 3.4), мостовые и дифференциальные схемы. Две последние схемы позволяют подавлять синфазные составляющие и различать малые градации в световом потоке при относительно большом фоне. На рис. 3.8 приведена мостовая схема включения дифференциального ФР, в которой для подавления фона (Ф) ФР Лф1 регистрирует поток Фх = Ф + ДФ, а ФР Дф2 регистрирует только фон Ф.

Различают интегральную и удельную чувствительность ФР. Интегральная чувствительность ФР Си = А//АФ * 10-^20 А/лм определяется при фиксированном напряжении питания (обычно ? = 15 В) и освещении стандартным источником класса А. Удельная чувствительность ФР Суд = А//(АФ Д?) достигает 20 А/(лм • В).

Мерой чувствительности ФР является также кратность изменения сопротивления ФР в рабочем диапазоне световых потоков от Ф,пах ДО Фпип (рис. 3.9):

Темновое сопротивление ФР ЯТ очень сильно зависит от температуры (температурный коэффициент ТК(Дт) » 0,5-4,0% /°С). Если при нормальных условиях Дт0 = 10 7 -40 8 Ом (рис. 3.10), то при АТ = ±50 °С темновое сопротивление изменится не менее, чем в 10 раз.

Рис. 3.9. Типичная передаточная характеристика ФР

Рис. 3.10. Типичная нормированная температурная характеристика ФР

Чувствительность ФР может быть также выражена через количество электронов, образованных при поглощении одного кванта излучения

где р„ — подвижность электронов; хп — среднее время жизни электронов; с1 — расстояние между электродами.

Прир„= 300 см 2 /В • с, тп= 10 3 с, с1 = 0,2 мм, 2? = 1 В чувствительность составит Ъ = 750. Это означает, что ФР работает как фотоумножитель и является очень чувствительным сенсором.

Вследствие нелинейной передаточной характеристики и температурной нестабильности фоторезисторы, в основном, применяются в пороговых схемах, охранных системах, фотометрических схемах (фотоэкспонометрах), устройствах управления, тепловизорах. Чувствительность ФР примерно на три порядка выше, чем у фотодиодов. Это позволяет фоторезисторам работать в ряде случаев непосредственно на исполнительное устройство, например фотореле (рис. 3.11). В случае, если используются предусилители, с помощью ФР могут фиксироваться очень малые световые потоки.

Рис. 3.11. Схема фотореле на ФР

Фоторезистор обладает очень низкими шумами, которые уменьшаются с понижением температуры: при -40 °С шумы находятся на уровне иш

1 мкВ. При охлаждении до криогенных температур не только снижаются шумы, но и возрастает чувствительность и, следовательно, обнаружительная способность ФР. В современной аппаратуре охлаждение осуществляется с помощью микрохолодильников на эффекте Пельтье. Один каскад микрохолодильника позволяет в среднем снизить температуру на 40°, а четыре каскада — на 100°.

Сочетание высокой чувствительности и низких шумов предопределяет использование ФР в различных теплопеленгаторных устройствах, в частности, головках самонаведения ракет. Интересно, что впервые ФР на РЬв с X = 3,5 мкм были применены американцами в головках самонаведения авиационных ракет «Сайдвиндер» во время войны в Корее в 1956-1957 гг. Ракеты наводились по ИК-излучению сопла двигателя.

Существенный недостаток ФР — сравнительно высокая инерционность (постоянная времени т » 0,1ч-100 мс), что ограничивает максимальную рабочую частоту входного сигнала на уровне 1^-5 кГц.

  • 1) низкая стоимость;
  • 2) чрезвычайно высокая надежность (наработка на отказ более 100 тыс. часов);
  • 3) очень высокая чувствительность и/или обнаружительная способность (тепловизоры с ФР на 1пвЬ позволяют по ПК излучению регистрировать разность температур в 0,01 °С).
  • 1) высокая инерционность (низкая полоса пропускания);
  • 2) низкая температурная стабильность, которая вызывает аддитивные погрешности и необходимость работать не переменном токе;
  • 3) нелинейные световые и вольтамперные характеристики.

Характеристики отечественных фоторезисторов приведены

Характеристики отечественных фоторезисторов

Размер фоточувстви- тельной площадки, мм/кол-во

Источник: ozlib.com

Котельная автоматика: Фоторезисторы ФР1-3, ФР-764, ФР-765, ФСК-6

Фоторезисторы ФР1-3, ФР-764, ФР-765, ФСК-6

ФР1-3 на 47 кОм и на 150кОм всегда наличии на складе в большом количестве.

Предназначены для установки в фотодатчиках (ФД, ФДЧ, ФЭСП, ФЭСП-2.Р и др.) различных газогорелочных устройств (ЗЗУ, КЗУ и др.).
Также применяются в составе фотоэлектрической аппаратуры и контрольно-измерительных приборах.

Предлагаемые нами фоторезисторы 2009-2011 годов выпуска. К каждому прилагаем оригинальный перечень с содержанием драгоценных и цветных металлов.

Основные технические характеристики фоторезисторов ФР1-3, ФР-764, ФР-765 и ФСК-1

Тип фото-резистора Размеры фоточувстви-тельного элемента, мм Длина волны, λ макс, мкм Рабочее напряжение Uр, В, не более Темновое сопротив-ление Rt, МОм, не менее Темновой ток It, мкА, не более Общий ток при Е=200лк, мкА, не менее Отнош. темнов. сопр. к световому Rt/Rсв, отн.ед., не менее Макс. мощность излучения Pmax, мВт, не более
ФР1-3 диам. 5,8 1,8-2,2 15 0,047-0,33 6
ФР-764 диам. 5,8 0,62-0,66 20 2 10 1500 100 125
ФР-765 диам. 5,8 0,7-0,8 50 3,3 15 1500 150
ФСК-6 4×7,2 50 3,3 15 1500 100 125

Обращаем Ваше внимание, что широко представленные на рынке недорогие фоторезисторы ФР1-3 выпуска 1990-1999 годов (складского хранения) имеют большой уход своего темнового сопротивления и темнового тока. Как следствие приборы, в которых установлены некачественные чувствительные элементы, выдают недостоверную информацию и возможны отказы оборудования.

Цена с НДС, руб. с 01.09.2014:

ФР1-3, ФСК-6 . . . . . 403’704
ФР1-3 отобранные по сопротивлению . . . . . 499’824
ФР-764, ФР-765 . . . только под заказ, условия и цены оговариваются отдельно
Все пределы сопротивлений имеют одну стоимость.

Для покупателей из России или Казахстана цена фоторезисторов ФР1-3 составляет 940 российских рублей без НДС за 1 шт. при заказе от 10 шт.
Отправку осуществляем через компании “Автотрейдинг”, “ДПД”, или почтовой связью.

За подробной консультацией обращайтесь к Солоневичу Игорю Петровичу.

Источник: www.teplosar.by