Фоторезистор фр 1 3 150ком

Фоторезистор фр 1 3 150ком

Фоторезисторы ФР1-3 для работы в аппаратуре фотоэлектрической автоматики и счетно-измерительных устройствах

(*3*)

Фоторезисторы ФР1-3 предусмотрены для работы в цепях неизменного либо переменного тока аппаратуры фотоэлектрической автоматики и счетно-измерительных устройств.

Фоторезисторы выпускаются в обыкновенном и климатическом исполнениях.

Масса не наиболее 5 г.

Технические условия ОЖ0.468.163 ТУ

Фоторезистор ФР1-3 47 кОм

Фоторезистор ФР1-3 68 кОм

Фоторезистор ФР1-3 100 кОм

Фоторезистор ФР1-3 150 кОм

Фоторезистор ФР1-3 220 кОм

Фоторезистор ФР1-3 330 кОм

Условия эксплуатации:

— Интервал рабочей температуры — от -60 до +60 °С

— Относительная влажность воздуха при температуре + 25°С для фоторезисторов в выполнении для умеренного и прохладного атмосферного климата — до 98%

— Относительная влажность воздуха при температуре + 35°С для фоторезисторов во всеклиматическом выполнении — до 98%

— Вибрация в спектре частот от 1 до 2000Гц. с убыстрением — до 15g

— Неоднократные удары с убыстрением — до 75g

Технические свойства:

— Рабочее напряжение, не наиболее — 15В

— Спектр номинальных значений темнового сопротивления — от 47 до 330кОм

— Допускаемое отклонение темнового сопротивления от номинального значения, не наиболее — ± 50%

— Наибольшая мощность рассеяния,не наиболее — 6,0 х 10-3Вт

— Отрицательный температурный коэффициент темнового сопротивления в интервале температур от минус 60 до +20 °С, не наиболее — 5 %/°С

— Отрицательный температурный коэффициент темнового сопротивления в интервале температур от +20 до +60 °С, не наиболее — 4 %/°С

Наличие: Есть на складе

Фоторезистор ФР1-3 150 кОм

Не работаем
с физическими лицами

Описание / Свойства

Главный областью внедрения фоторезисторов является автоматика, где они в неких вариантах с фуррором подменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы. Владея завышенной допустимой мощностью рассеивания по сопоставлению с некими типами фотоэлементов, фоторезисторы разрешают создавать обыкновенные и надежные фотореле без усилителей тока. Такие фотореле неподменны в устройствах для телеуправления, контроля и регулирования, в автоматах для разбраковки, при сортировке и счете готовой продукции, для контроля свойства и готовности самых разных деталей. Обширно употребляются фоторезисторы в полиграфической индустрии при обнаружении обрывов картонной ленты, контроле за количеством листов, подаваемых в печатную машинку. В измерительной технике фоторезисторы используются для измерения больших температур, для регулировки температуры в разных технологических действиях. Контроль уровня воды и сыпучих тел, защита персонала от входа в небезопасные зоны, контроль за запыленностью и задымленностью самых разных объектов, автоматические выключатели уличного освещения и турникеты в метрополитене — вот далековато не полный список областей внедрения фоторезисторов. Фоторезисторы отыскали применение в медицине, сельском хозяйстве и остальных областях. В истинное время тяжело отыскать такую ветвь народного хозяйства, где бы они не использовались в целях увеличения производительности труда, улучшения свойства продукции и облегчения труда человека.

Условия эксплуатации
— Интервал рабочей температуры — от -60 до +60 °С
— Относительная влажность воздуха при температуре + 25°С для фоторезисторов в выполнении для умеренного и прохладного атмосферного климата — до 98%
— Относительная влажность воздуха при температуре + 35°С для фоторезисторов во всеклиматическом выполнении — до 98%
— Вибрация в спектре частот от 1 до 2000Гц. с убыстрением — до 15g
— Неоднократные удары с убыстрением — до 75g

Технические свойства
— Рабочее напряжение, не наиболее — 15В
— Спектр номинальных значений темнового сопротивления — от 47 до 330кОм
— Допускаемое отклонение темнового сопротивления от номинального значения, не наиболее — ± 50%
— Наибольшая мощность рассеяния,не наиболее — 6,0 х 10-3Вт
— Отрицательный температурный коэффициент темнового сопротивления в интервале температур от минус 60 до +20 °С, не наиболее — 5 %/°С
— Отрицательный температурный коэффициент темнового сопротивления в интервале температур от +20 до +60 °С, не наиболее — 4 %/°С
— Гарантийная наработка — 10000ч

Вас приветствует коллектив ООО «Белтрикс». Мы хотим предложить широкий диапазон компонент и оборудования ввезенного и российского производства.

Заявка выслана. Спасибо.

Заявка выслана. Спасибо.

Продуктов: 0
На сумму: 0.00 руб.

Будни: 9:00 – 17:00
Сб, вскр – выходной

Источник: litezona.ru

3.1.1. Фоторезисторы

В фоторезисторах (ФР) употребляется явление конфигурации внутренней фотопроводимости, т. е. изменение сопротивления резистивного элемента под действием падающего излучения. ФР является пассивным датчиком и его в простом случае включают в цепь делителя напряжения (рис. 3.4). В схеме под воздействием светового потока изменяется сопротивление 7?ФР, ток и выходной сигнал.

Фоторезисторы изготовляются из полупроводниковых материалов. В главном это сернистые и селеновые соединения кадмия (Сйв, СсШе), свинца (РЬБ, РЬВе), соединения индия, галлия, теллура, которые наносятся на изолированную подложку. Спектр спектральной чувствительности зависит от материала ФР и простирается от 0,1 до

Рис. 3.4. Делитель напряжения на ФР

10-^20 мкм. Энергия фотонов связана с длиной волны X излучения (в среде) известным соотношением

где к = 6,63 • КГ 34 Дж • с = 4,13 • 10 15 эВ • с — неизменная Планка; V — скорость света в среде.

Для появления фотопроводимости энергия фотона обязана быть больше ширины нелегальной зоны полупроводника. Ширина нелегальной зоны является тем энергетическим порогом, ниже которого материал не является фоточувствительным. Фотоны видимого и близкого ИК (то есть тепловое, инфракрасное, на основе инфракрасного излучения)-излучения с X

Легирование полупроводника разными примесями дозволяет в неких границах поменять и спектральную характеристику и чувствительность ФР. В таблице 3.1 приведены свойства неких полупроводниковых материалов, применяемых при изготовлении ФР, а на рис. 3.5 изображены спектральные свойства ФР видимого спектра.

В общем случае ВАХ ФР нелинейна (рис. 3.6). Детализированный анализ указывает, что ток ФР /ФР состоит из 2-ух составляющих — световой I(1) и темновой 1Т:

где С *0,1 А/лм • В — коэффициент пропорциональности (удельная чувствительность); у =0,5 ^1 (зависит от материала фоторезистора); Лт — темновое сопротивление (сопротивление фоторезистора при Ф = 0); Е — напряжение питания.

Свойства полупроводниковых материалов

Твердые смеси КРТ

Рис. 3.5. Относительная спектральная чувствительность ФР видимого спектра

Рис. 3.6. ВАХ ФР

Эквивалентная схема фоторезистора на неизменном токе представляет собой параллельное соединение ?ф и ?т (рис. 3.7).

Обычные значения ? = 10-^100 В. Наибольшее значение напряжения питания (?тах) ограничивается наибольшей рассеиваемой мощностью, а малое (?т1п) — своими шумами фоторезистора, которые очень малы и при ? = 15 В находятся на уровне 1-^3 мкВ/у^Гц (единица частоты периодических процессов в Международной системе единиц СИ) • В рабочем спектре световых потоков, обычно /ф /т (?т > Лф). При Т = 20 °С, Е = 10 В, ток 1Т = 10 “ЧЮ”® мкА.

Рис. 3.7. Эквивалентная схема фоторезистора (ФР)

Рис. 3.8. Включение ФР в мостовую схему

Главные схемы включения ФР это делители напряжения (см. рис. 3.4), мостовые и дифференциальные схемы. Две крайние схемы разрешают подавлять синфазные составляющие и различать малые градации в световом потоке при относительно большенном фоне. На рис. 3.8 приведена мостовая схема включения дифференциального ФР, в какой для угнетения фона (Ф0) ФР Лф1 регистрирует поток Фх = Ф0 + ДФ, а ФР Дф2 регистрирует лишь фон Ф0.

Различают интегральную и удельную чувствительность ФР. Интегральная чувствительность ФР Си = А//АФ * 10-^20 А/лм определяется при фиксированном напряжении питания (обычно ? = 15 В) и освещении обычным источником класса А. Удельная чувствительность ФР Суд = А//(АФ Д?) добивается 20 А/(лм • В).

Мерой чувствительности ФР является также кратность конфигурации сопротивления ФР в рабочем спектре световых потоков от Ф,пах ДО Фпип (рис. 3.9):

Темновое сопротивление ФР ЯТ весьма очень зависит от температуры (температурный коэффициент ТК(Дт) » 0,5-4,0% /°С). Если при обычных критериях Дт0 = 10 7 -40 8 Ом (рис. 3.10), то при АТ = ±50 °С темновое сопротивление поменяется не наименее, чем в 10 раз.

Рис. 3.9. Обычная передаточная черта ФР

Рис. 3.10. Обычная нормированная температурная черта ФР

Чувствительность ФР быть может также выражена через количество электронов, образованных при поглощении 1-го кванта излучения

где р„ — подвижность электронов; хп — среднее время жизни электронов; с1 — расстояние меж электродами.

Прир„= 300 см 2 /В • с, тп= 10 3 с, с1 = 0,2 мм, 2? = 1 В чувствительность составит Ъ = 750. Это значит, что ФР работает как фотоумножитель и является весьма чувствительным детектором.

Вследствие нелинейной передаточной свойства и температурной непостоянности фоторезисторы, в главном, используются в пороговых схемах, охранных системах, фотометрических схемах (фотоэкспонометрах), устройствах управления, тепловизорах. Чувствительность ФР приблизительно на три порядка выше, чем у фотодиодов. Это дозволяет фоторезисторам работать в ряде всевозможных случаев конкретно на исполнительное устройство, к примеру фотореле (рис. 3.11). В случае, если употребляются предусилители, при помощи ФР могут фиксироваться весьма малые световые потоки.

Рис. 3.11. Схема фотореле на ФР

Фоторезистор владеет весьма низкими шумами, которые уменьшаются с снижением температуры: при -40 °С шумы находятся на уровне иш

1 мкВ. При охлаждении до криогенных температур не только лишь понижаются шумы, да и увеличивается чувствительность и, как следует, обнаружительная способность ФР. В современной аппаратуре остывание осуществляется при помощи микрохолодильников на эффекте Пельтье. Один каскад микрохолодильника дозволяет в среднем понизить температуру на 40°, а четыре каскада — на 100°.

Сочетание высочайшей чувствительности и низких шумов предназначает внедрение ФР в разных теплопеленгаторных устройствах, а именно, головках самонаведения ракет. Любопытно, что в первый раз ФР на РЬв с X = 3,5 мкм были использованы янки в головках самонаведения авиационных ракет «Сайдвиндер» во время войны в Корее в 1956-1957 гг. Ракеты наводились по ИК (то есть тепловое, инфракрасное, на основе инфракрасного излучения)-излучению сопла мотора.

Значимый недочет ФР — сравнимо высочайшая инерционность (неизменная времени т » 0,1ч-100 мс), что ограничивает наивысшую рабочую частоту входного сигнала на уровне 1^-5 кГц.

  • 1) низкая стоимость;
  • 2) очень высочайшая надежность (наработка на отказ наиболее 100 тыс. часов);
  • 3) весьма высочайшая чувствительность и/либо обнаружительная способность (тепловизоры с ФР на 1пвЬ разрешают по ПК (Персональный компьютер – компьютер, предназначенный для эксплуатации одним пользователем) излучению регистрировать разность температур в 0,01 °С).
  • 1) высочайшая инерционность (низкая полоса пропускания);
  • 2) низкая температурная стабильность, которая вызывает аддитивные погрешности и необходимость работать не переменном токе;
  • 3) нелинейные световые и вольтамперные свойства.

Свойства российских фоторезисторов приведены

Свойства российских фоторезисторов

Размер фоточувстви- тельной площадки, мм/кол-во

Источник: ozlib.com

Фоторезистор ФР1-3

Наружный вид

рис.1 Фоторезистор ФР1-3

Описание / Предназначение / Свойства ФР1-3 Полупроводниковые фотоэлементы – фоторезисторы владеют свойством поменять свое активное сопротивление под действием падающего на их света. Фоторезисторы имеют высшую чувствительность к излучению в самом широком спектре – от инфракрасной до рентгеновской области диапазона, при этом сопротивление их может изменяться на несколько порядков. Фоторезисторам присущи высочайшая стабильность во времени, они имеют маленькие габариты и выпускаются на разные номиналы сопротивлений. Наибольшее распространение получили фоторезпсторы, сделанные из сернистого свинца, сернистого кадмия, селенистого кадмия. Заглавие типа фоторезисторов слагается из букв и цифр, при этом в старенькых обозначениях буковкы А, К, Д обозначали тип использованного светочувствительного материала, в новеньком же обозначении эти буковкы изменены цифрами. Буковка, стоящая за дефисом, при древнем обозначении, охарактеризовывала конструктивное выполнение (Г-герметизированные, П-пленочные). В новейшей маркировке эти буковкы также изменены цифрами. В табл. 1 приведены наименования более всераспространенных обозначений фоторезисторов.

Таблица 1. ТИПОВЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТОРОВ

Вид фоторезисторов Старенькое обозначение Новое обозначение
Сернисто-свинцовые ФСА-0, ФСА-1, ФСА-6, ФСА-Г1, ФСА-Г2
Сернисто-кадмиевые ФСК-0, 1, 2, 4, 5, 6, 7, ФСК-Г1, ФСК-Г2, ФС’Р;-Г7, ФСК-П1 СФ2-1, 2, 4, 9, 12
Селенисто-кадмиевые ФСД-0, ФСД-1, ФСД-Г1 СФ3-1, 8

Светочувствительный элемент в неких типах фоторезисторов выполнен в виде круглой либо прямоугольной пилюли, спрессованной из пылеобразного сульфида либо селенида кадмия, в остальных он представляет собой узкий слой полупроводника, нанесенного на стеклянное основание. В том и другом случае с полупроводниковым материалом соединены два железных вывода.

Зависимо от предназначения фоторезисторы имеют совсем различное конструктивное оформление. Время от времени это просто пластинка полупроводника на стеклянном основании с токонесущими выводами, в остальных вариантах фоторезистор имеет пластмассовый корпус с твердыми штырьками. Посреди таковых фоторезисторов следует особо отметить ФСК-6, адаптированный для работы от отраженного света, для что его корпус имеет в центре отверстие для прохождения света к отражающей поверхности. Выпускаются фоторезисторы в железном корпусе с цоколем, напоминающим ламповый, либо в корпусе, как у герметизированных конденсаторов либо транзисторов.

Источник: powerportal.ru

Котельная автоматика: Фоторезисторы ФР1-3, ФР-764, ФР-765, ФСК-6

Фоторезисторы ФР1-3, ФР-764, ФР-765, ФСК-6

ФР1-3 на 47 кОм и на 150кОм постоянно наличии на складе в большенном количестве.

Предусмотрены для установки в фотодатчиках (ФД, ФДЧ, ФЭСП, ФЭСП-2.Р и др.) разных газогорелочных устройств (ЗЗУ, КЗУ и др.).
Также используются в составе фотоэлектрической аппаратуры и контрольно-измерительных устройствах.

Предлагаемые нами фоторезисторы 2009-2011 годов выпуска. К любому прилагаем уникальный список с содержанием драгоценных и цветных металлов.

(*1*)Главные технические свойства фоторезисторов ФР1-3, ФР-764, ФР-765 и ФСК-1

Тип фото-резистора Размеры фоточувстви-тельного элемента, мм Длина волны, λ макс, мкм Рабочее напряжение Uр, В, не наиболее Темновое сопротив-ление Rt, МОм, не наименее Темновой ток It, мкА, не наиболее Общий ток при Е=200лк, мкА, не наименее Отнош. темнов. сопр. к световому Rt/Rсв, отн.ед., не наименее Макс. мощность излучения Pmax, мВт, не наиболее ФР1-3 диам. 5,8 1,8-2,2 15 0,047-0,33 6 ФР-764 диам. 5,8 0,62-0,66 20 2 10 1500 100 125 ФР-765 диам. 5,8 0,7-0,8 50 3,3 15 1500 150 ФСК-6 4×7,2 – 50 3,3 15 1500 100 125

Обращаем Ваше внимание, что обширно выставленные на рынке дешевые фоторезисторы ФР1-3 выпуска 1990-1999 годов (складского хранения) имеют большенный уход собственного темнового сопротивления и темнового тока. Как следствие приборы, в каких установлены плохие чувствительные элементы, выдают недостоверную информацию и вероятны отказы оборудования.

Стоимость с НДС, руб. с 01.09.2014:

ФР1-3, ФСК-6 . . . . . 403’704
ФР1-3 отобранные по сопротивлению . . . . . 499’824
ФР-764, ФР-765 . . . лишь под заказ, условия и цены оговариваются раздельно
Все пределы сопротивлений имеют одну стоимость.

Для покупателей из Рф либо Казахстана стоимость фоторезисторов ФР1-3 составляет 940 русских рублей без НДС за 1 шт. при заказе от 10 шт.
Отправку осуществляем через компании “Автотрейдинг”, “ДПД”, либо почтовой связью.

За подробной консультацией обращайтесь к Солоневичу Игорю Петровичу.

Источник: www.teplosar.by